Murata Electronics North America - NFM21PC474R1C3D

KEY Part #: K7359531

NFM21PC474R1C3D نرخ (ډالر) [858230د کمپیوټر سټاک]

  • 1 pcs$0.04331
  • 4,000 pcs$0.04310
  • 8,000 pcs$0.04056
  • 12,000 pcs$0.03803
  • 28,000 pcs$0.03549

برخه شمیره:
NFM21PC474R1C3D
جوړوونکی:
Murata Electronics North America
تفصیلي توضیحات:
CAP FEEDTHRU 0.47UF 20 16V 0805. Feed Through Capacitors 0805 16V .47uF
Manufacturer's standard lead time:
په ګدام کښي
د شیلف ژوند:
یو کال
له څخه چپ:
هانګ کانګ
RoHS:
د تادیې میتود:
بار وړلو لاره:
د کورنۍ کټګورۍ:
د کیی اجزاو شرکت ، LTD د بریښنایی اجزاو توزیع کونکی دی چې د محصول کټګورۍ وړاندیز کوي په شمول: سرامیک فلټرونه, د کاپسیټرانو له لارې تغذیه کړئ, د SAID فلټرونه, DSL فلټرونه, EMI / RFI فلټرونه (LC ، RC شبکې), د بریښنا لاین فلټر انډولونه, لوازمات and عام حالت خوښول ...
د سیالۍ ګټه:
We specialize in Murata Electronics North America NFM21PC474R1C3D electronic components. NFM21PC474R1C3D can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NFM21PC474R1C3D, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NFM21PC474R1C3D د محصول ځانګړتیاوې

برخه شمیره : NFM21PC474R1C3D
جوړوونکی : Murata Electronics North America
توضيح : CAP FEEDTHRU 0.47UF 20 16V 0805
لړۍ : EMIFIL®, NFM21
برخه حالت : Active
ظرفیت : 0.47µF
زغم : ±20%
ولټاژ - شرح شوی : 16V
اوسنی : 2A
د DC مقاومت (DCR) (اعظمي) : 30 mOhm
د تودوخې چلول : -55°C ~ 125°C
د زیاتوالي زیان : -
د تودوخې ضعف : -
درجه بندي : -
د غونډلو ډول : Surface Mount
بسته / قضیه : 0805 (2012 Metric), 3 PC Pad
اندازه / ابعاد : 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
لوړوالی (اعظمي) : 0.037" (0.95mm)
د مزي اندازه : -

تاسو ممکن پدې کې هم علاقه ولرئ
  • K4A4G085WE-BIRC

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA.

  • K4ABG165WA-MCWE

    Samsung Semiconductor

    32 Gb 2G x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Sample.

  • K4A4G085WE-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BCTD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production.

  • K4A4G085WF-BITD

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Sample.

  • K4A4G165WE-BCWE

    Samsung Semiconductor

    4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production.