برخه شمیره :
IPD60R380E6ATMA2
جوړوونکی :
Infineon Technologies
توضيح :
MOSFET NCH 600V 10.6A TO252
ټیکنالوژي :
MOSFET (Metal Oxide)
د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss) :
600V
اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C :
10.6A (Tc)
د موټر چلولو ولتاژ (د ډیرو څخه په ډیرو لږو راډونو سره) :
10V
Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs :
380 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (اعظمي) @ ID :
3.5V @ 300µA
د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs :
32nC @ 10V
د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds :
700pF @ 100V
د FET ب .ه :
Super Junction
د بریښنا تحلیل (اعظمي) :
83W (Tc)
د تودوخې چلول :
-55°C ~ 150°C (TJ)
د غونډلو ډول :
Surface Mount
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
PG-TO252-3
بسته / قضیه :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63