Vishay Siliconix - SIDR622DP-T1-GE3

KEY Part #: K6418462

SIDR622DP-T1-GE3 نرخ (ډالر) [63902د کمپیوټر سټاک]

  • 1 pcs$0.61188

برخه شمیره:
SIDR622DP-T1-GE3
جوړوونکی:
Vishay Siliconix
تفصیلي توضیحات:
MOSFET N-CHAN 150V.
Manufacturer's standard lead time:
په ګدام کښي
د شیلف ژوند:
یو کال
له څخه چپ:
هانګ کانګ
RoHS:
د تادیې میتود:
بار وړلو لاره:
د کورنۍ کټګورۍ:
د کیی اجزاو شرکت ، LTD د بریښنایی اجزاو توزیع کونکی دی چې د محصول کټګورۍ وړاندیز کوي په شمول: ټرانزیټران - دوه قطبي (BJT) - RF, ټرانزیټران - IGBTs - تیرونه, ډایډز - ریکټفایر - واحد, ټرانزیټرې - FETs ، MOSFETs - RF, ډایډز - RF, ډایډز - زینر - واحد, ټرانزیټران - JFETs and ټرانزیټران - IGBTs - یوځای ...
د سیالۍ ګټه:
We specialize in Vishay Siliconix SIDR622DP-T1-GE3 electronic components. SIDR622DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIDR622DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIDR622DP-T1-GE3 د محصول ځانګړتیاوې

برخه شمیره : SIDR622DP-T1-GE3
جوړوونکی : Vishay Siliconix
توضيح : MOSFET N-CHAN 150V
لړۍ : TrenchFET®
برخه حالت : Active
د FET ډول : N-Channel
ټیکنالوژي : MOSFET (Metal Oxide)
د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss) : 150V
اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C : 64.6A (Ta), 56.7A (Tc)
د موټر چلولو ولتاژ (د ډیرو څخه په ډیرو لږو راډونو سره) : 7.5V, 10V
Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs : 17.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (اعظمي) @ ID : 4.5V @ 250µA
د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (اعظمي) : ±20V
د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds : 1516pF @ 75V
د FET ب .ه : -
د بریښنا تحلیل (اعظمي) : 6.25W (Ta), 125W (Tc)
د تودوخې چلول : -55°C ~ 150°C (TJ)
د غونډلو ډول : Surface Mount
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه : PowerPAK® SO-8DC
بسته / قضیه : PowerPAK® SO-8

تاسو ممکن پدې کې هم علاقه ولرئ