Infineon Technologies - BSC0921NDIATMA1

KEY Part #: K6525213

BSC0921NDIATMA1 نرخ (ډالر) [133174د کمپیوټر سټاک]

  • 1 pcs$0.27774
  • 5,000 pcs$0.26663

برخه شمیره:
BSC0921NDIATMA1
جوړوونکی:
Infineon Technologies
تفصیلي توضیحات:
MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8.
Manufacturer's standard lead time:
په ګدام کښي
د شیلف ژوند:
یو کال
له څخه چپ:
هانګ کانګ
RoHS:
د تادیې میتود:
بار وړلو لاره:
د کورنۍ کټګورۍ:
د کیی اجزاو شرکت ، LTD د بریښنایی اجزاو توزیع کونکی دی چې د محصول کټګورۍ وړاندیز کوي په شمول: Thyristors - TRIACs, ټرانزیټران - بایپولر (BJT) - تیرونه ، دمخه تعصب, ډایډز - د پل تصفیه کونکي, ټرانزیټران - ځانګړي هدف, ډایډز - RF, ټرانزیټران - FETs ، MOSFETs - یو واحد, ټرانزیټرې - FETs ، MOSFETs - RF and ټرانزیټران - بایپولر (BJT) - یوځای ...
د سیالۍ ګټه:
We specialize in Infineon Technologies BSC0921NDIATMA1 electronic components. BSC0921NDIATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC0921NDIATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC0921NDIATMA1 د محصول ځانګړتیاوې

برخه شمیره : BSC0921NDIATMA1
جوړوونکی : Infineon Technologies
توضيح : MOSFET 2N-CH 30V 17A/31A TISON8
لړۍ : OptiMOS™
برخه حالت : Active
د FET ډول : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
د FET ب .ه : Logic Level Gate, 4.5V Drive
د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss) : 30V
اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C : 17A, 31A
Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs : 5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (اعظمي) @ ID : 2V @ 250µA
د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs : 8.9nC @ 4.5V
د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds : 1025pF @ 15V
ځواک - اعظمي : 1W
د تودوخې چلول : -55°C ~ 150°C (TJ)
د غونډلو ډول : Surface Mount
بسته / قضیه : 8-PowerTDFN
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه : PG-TISON-8

تاسو ممکن پدې کې هم علاقه ولرئ