برخه شمیره :
TK20G60W,RVQ
جوړوونکی :
Toshiba Semiconductor and Storage
توضيح :
MOSFET N CH 600V 20A D2PAK
ټیکنالوژي :
MOSFET (Metal Oxide)
د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss) :
600V
اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C :
20A (Ta)
د موټر چلولو ولتاژ (د ډیرو څخه په ډیرو لږو راډونو سره) :
10V
Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs :
155 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (اعظمي) @ ID :
3.7V @ 1mA
د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs :
48nC @ 10V
د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds :
1680pF @ 300V
د FET ب .ه :
Super Junction
د بریښنا تحلیل (اعظمي) :
165W (Tc)
د تودوخې چلول :
150°C (TJ)
د غونډلو ډول :
Surface Mount
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
D2PAK
بسته / قضیه :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB