S1JR3 نرخ (ډالر) [2750629د کمپیوټر سټاک]
- 1 pcs$0.01345
- برخه شمیره:
- S1JR3
- جوړوونکی:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- تفصیلي توضیحات:
- 1A 600V GLASS PASSIVATED SMD R.
- Manufacturer's standard lead time:
- په ګدام کښي
- د شیلف ژوند:
- یو کال
- له څخه چپ:
- هانګ کانګ
- RoHS:
- د تادیې میتود:
-
- بار وړلو لاره:
- د کورنۍ کټګورۍ:
- د کیی اجزاو شرکت ، LTD د بریښنایی اجزاو توزیع کونکی دی چې د محصول کټګورۍ وړاندیز کوي په شمول: ډایډز - زینر - تیرونه, تیوریسوران - ډایایکس ، SIDACs, Thyristors - TRIACs, ډایډز - زینر - واحد, ټرانزیټران - بایپولر (BJT) - یوځای, ډایډز - تغیر لرونکی ظرفیت (ویریکاپس ، وایرکټرونه), تیریسټران - SCRs and ټرانزیټران - دوه قطبي (BJT) - RF ...
- د سیالۍ ګټه:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S1JR3 electronic components. S1JR3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S1JR3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S1JR3 د محصول ځانګړتیاوې
برخه شمیره :
S1JR3
جوړوونکی :
Taiwan Semiconductor Corporation
توضيح :
1A 600V GLASS PASSIVATED SMD R
لړۍ :
-
برخه حالت :
Active
د ډایډ ډول :
Standard
ولټاژ - DC ریورس (Vr) (اعظمي) :
600V
اوسنی - اوسط ترمیم شوی (Io) :
1A
ولټاژ - فارورډ (Vf) (اعظمي) @ که :
1.1V @ 1A
سرعت :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
د بيرته راستنيدو وخت (trr) :
1.5µs
اوسنی - ریورس لیکونه @ Vr :
1µA @ 600V
ظرفیت @ Vr ، F :
12pF @ 4V, 1MHz
د غونډلو ډول :
Surface Mount
بسته / قضیه :
DO-214AC, SMA
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
DO-214AC (SMA)
عملیاتي تودوخه - جنکشن :
-55°C ~ 175°C
تازه ترین خبرونه
تاسو ممکن پدې کې هم علاقه ولرئ
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
ګرم برخې
- D251N14BXPSA1
- SB350-B
- APD140VD-G1
- LL103C-7
- NSR10F40QNXT5G
- F1857D400
- GP10-4003E-M3/54
- CD0603-B0230
- VS-60CPF12PBF
- 1N3890A
- SSB43LHE3/52T
- ESH2PD-E3/84A
- RP 1HV1
- PMEG2005AEA/DG,115
- SB350S-E3/54
- 1N1205BR
- MR851RL
- EGP50AHE3/54
- 1N4247GPHE3/54
- BYD33JGP-E3/73
- BAS 3020B E6327
- SBL1640
- MUR450PFRLG
- D121K18BXPSA1
- FFPF05U60STTU
- 241NQ045R
- S20420
- 30WQ03FN
- VS-31DQ06
- CDLL1A50
- D170S25BS1XPSA1
- UH2C-M3/52T
- STPSC4H065DI
- RG 2V
- RFN2LAM4STR
- AS3BD-M3/I
- EGL34F-E3/83
- RF08L6STE25
- S3M M6G
- GP10A-E3/54