Vishay Siliconix - SI2356DS-T1-GE3

KEY Part #: K6419498

SI2356DS-T1-GE3 نرخ (ډالر) [737724د کمپیوټر سټاک]

  • 1 pcs$0.05014
  • 3,000 pcs$0.04752

برخه شمیره:
SI2356DS-T1-GE3
جوړوونکی:
Vishay Siliconix
تفصیلي توضیحات:
MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23.
Manufacturer's standard lead time:
په ګدام کښي
د شیلف ژوند:
یو کال
له څخه چپ:
هانګ کانګ
RoHS:
د تادیې میتود:
بار وړلو لاره:
د کورنۍ کټګورۍ:
د کیی اجزاو شرکت ، LTD د بریښنایی اجزاو توزیع کونکی دی چې د محصول کټګورۍ وړاندیز کوي په شمول: ډایډز - ریکټفایر - واحد, ډایډز - د پل تصفیه کونکي, ټرانزیټرې - IGBTs - ماډلونه, Thyristors - TRIACs, ډایډز - تغیر لرونکی ظرفیت (ویریکاپس ، وایرکټرونه), ټرانزیټران - بایپولر (BJT) - یوازینی ، دمخه وړاندې, تیوریسوران - ډایایکس ، SIDACs and ټرانزیټران - ځانګړي هدف ...
د سیالۍ ګټه:
We specialize in Vishay Siliconix SI2356DS-T1-GE3 electronic components. SI2356DS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2356DS-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2356DS-T1-GE3 د محصول ځانګړتیاوې

برخه شمیره : SI2356DS-T1-GE3
جوړوونکی : Vishay Siliconix
توضيح : MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23
لړۍ : TrenchFET®
برخه حالت : Active
د FET ډول : N-Channel
ټیکنالوژي : MOSFET (Metal Oxide)
د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss) : 40V
اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C : 4.3A (Tc)
د موټر چلولو ولتاژ (د ډیرو څخه په ډیرو لږو راډونو سره) : 2.5V, 10V
Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs : 51 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (اعظمي) @ ID : 1.5V @ 250µA
د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (اعظمي) : ±12V
د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds : 370pF @ 20V
د FET ب .ه : -
د بریښنا تحلیل (اعظمي) : 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
د تودوخې چلول : -55°C ~ 150°C (TJ)
د غونډلو ډول : Surface Mount
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه : TO-236
بسته / قضیه : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

تاسو ممکن پدې کې هم علاقه ولرئ