S1G-KR2G نرخ (ډالر) [2511991د کمپیوټر سټاک]
- 1 pcs$0.01472
- برخه شمیره:
- S1G-KR2G
- جوړوونکی:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- تفصیلي توضیحات:
- 1A 400V STANDARD RECOVERY RECT.
- Manufacturer's standard lead time:
- په ګدام کښي
- د شیلف ژوند:
- یو کال
- له څخه چپ:
- هانګ کانګ
- RoHS:
- د تادیې میتود:
-
- بار وړلو لاره:
- د کورنۍ کټګورۍ:
- د کیی اجزاو شرکت ، LTD د بریښنایی اجزاو توزیع کونکی دی چې د محصول کټګورۍ وړاندیز کوي په شمول: ډایډز - ریکټفایر - واحد, ډایډز - RF, ټرانزیټرې - IGBTs - ماډلونه, ټرانزیټران - JFETs, ټرانزیټرې - FETs ، MOSFETs - تیرونه, ټرانزیټران - بایپولر (BJT) - تیرونه, ډایډز - تغیر لرونکی ظرفیت (ویریکاپس ، وایرکټرونه) and ټرانزیټران - FETs ، MOSFETs - یو واحد ...
- د سیالۍ ګټه:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S1G-KR2G electronic components. S1G-KR2G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S1G-KR2G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S1G-KR2G د محصول ځانګړتیاوې
برخه شمیره :
S1G-KR2G
جوړوونکی :
Taiwan Semiconductor Corporation
توضيح :
1A 400V STANDARD RECOVERY RECT
لړۍ :
-
برخه حالت :
Active
د ډایډ ډول :
Standard
ولټاژ - DC ریورس (Vr) (اعظمي) :
400V
اوسنی - اوسط ترمیم شوی (Io) :
1A
ولټاژ - فارورډ (Vf) (اعظمي) @ که :
1.1V @ 1A
سرعت :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
د بيرته راستنيدو وخت (trr) :
1.5µs
اوسنی - ریورس لیکونه @ Vr :
1µA @ 400V
ظرفیت @ Vr ، F :
12pF @ 4V, 1MHz
د غونډلو ډول :
Surface Mount
بسته / قضیه :
DO-214AC, SMA
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
DO-214AC (SMA)
عملیاتي تودوخه - جنکشن :
-55°C ~ 175°C
تازه ترین خبرونه
تاسو ممکن پدې کې هم علاقه ولرئ
-
1SS294,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SMINI. Schottky Diodes & Rectifiers SS Schottky 45Vrm 40V VR 300mA
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
BAS16WH6327XTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIGITAL TRANSISTOR
ګرم برخې
- MBR1645-10HE3/45
- D251K12BXPSA1
- JTXM19500/469-05
- UF1503S-B
- SB05-05C-M-TB-E
- LS412060
- FR204TA
- JANTX1N6661US
- RGP10K-M3/73
- GP10G-4004E-M3/73
- RU 3AM
- RF 1A
- SD24145
- JANTXV1N5802
- MBRB1050HE3/45
- HER604-TP
- SS1H10HE3/61T
- S5MHE3/57T
- ESH2PD-E3/84A
- SS8PH9HM3/87A
- SS2P3-E3/85A
- SS1H10HE3/5AT
- SS19-E3/5AT
- GP30KHE3/54
- GP20B-E3/54
- EGP20DHE3/73
- STPS1545R
- STTH3002G
- LSM345JE3
- ES2A-TP
- VS-HFA16TB120PBF
- VS-1N5819
- 241NQ045R
- 1N6630
- RL103-AP
- ER303-AP
- RO 2CV1
- RU 3AV1
- S10MC M6G
- ES3A M6G