Taiwan Semiconductor Corporation - 1N4004GA0

KEY Part #: K6458618

1N4004GA0 نرخ (ډالر) [3224876د کمپیوټر سټاک]

  • 1 pcs$0.01147

برخه شمیره:
1N4004GA0
جوړوونکی:
Taiwan Semiconductor Corporation
تفصیلي توضیحات:
1A400VSTD.GLASS PASSIVATED REC.
Manufacturer's standard lead time:
په ګدام کښي
د شیلف ژوند:
یو کال
له څخه چپ:
هانګ کانګ
RoHS:
د تادیې میتود:
بار وړلو لاره:
د کورنۍ کټګورۍ:
د کیی اجزاو شرکت ، LTD د بریښنایی اجزاو توزیع کونکی دی چې د محصول کټګورۍ وړاندیز کوي په شمول: ډایډز - زینر - تیرونه, ټرانزیټران - بایپولر (BJT) - تیرونه ، دمخه تعصب, ډایډز - تغیر لرونکی ظرفیت (ویریکاپس ، وایرکټرونه), ډایډز - زینر - واحد, ټرانزیټران - FETs ، MOSFETs - یو واحد, ډایډز - اصلاح کونکي - تیرونه, تیوریسوران - ډایایکس ، SIDACs and ټرانزیټران - IGBTs - تیرونه ...
د سیالۍ ګټه:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation 1N4004GA0 electronic components. 1N4004GA0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4004GA0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N4004GA0 د محصول ځانګړتیاوې

برخه شمیره : 1N4004GA0
جوړوونکی : Taiwan Semiconductor Corporation
توضيح : 1A400VSTD.GLASS PASSIVATED REC
لړۍ : -
برخه حالت : Active
د ډایډ ډول : Standard
ولټاژ - DC ریورس (Vr) (اعظمي) : 400V
اوسنی - اوسط ترمیم شوی (Io) : 1A
ولټاژ - فارورډ (Vf) (اعظمي) @ که : 1V @ 1A
سرعت : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
د بيرته راستنيدو وخت (trr) : -
اوسنی - ریورس لیکونه @ Vr : 5µA @ 400V
ظرفیت @ Vr ، F : 10pF @ 4V, 1MHz
د غونډلو ډول : Through Hole
بسته / قضیه : DO-204AL, DO-41, Axial
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه : DO-204AL (DO-41)
عملیاتي تودوخه - جنکشن : -55°C ~ 150°C

تاسو ممکن پدې کې هم علاقه ولرئ
  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode