برخه شمیره :
TK8P60W5,RVQ
جوړوونکی :
Toshiba Semiconductor and Storage
توضيح :
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
ټیکنالوژي :
MOSFET (Metal Oxide)
د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss) :
600V
اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C :
8A (Ta)
د موټر چلولو ولتاژ (د ډیرو څخه په ډیرو لږو راډونو سره) :
10V
Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs :
560 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (اعظمي) @ ID :
4.5V @ 400µA
د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs :
22nC @ 10V
د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds :
590pF @ 300V
د بریښنا تحلیل (اعظمي) :
80W (Tc)
د تودوخې چلول :
150°C (TJ)
د غونډلو ډول :
Surface Mount
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
DPAK
بسته / قضیه :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63