ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS46R16320E-6BLA2

KEY Part #: K929440

تفصیلي توضیحات:: IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ. DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 2.5V, DDR1, 32Mx16, 166MHz, 60 ball FBGA RoHS

د کورنۍ کټګورۍ:: د کیی اجزاو شرکت ، LTD د بریښنایی اجزاو توزیع کونکی دی چې د محصول کټګورۍ وړاندیز کوي په شمول: PMIC - د بریښنا توزیع سویچونه ، د بار وړونکي, ساعت / وخت - د ځنډ لاینونه, ساعت / وخت - د غوښتنې ځانګړې, خطي - پرتله کونکي, PMIC - یا کنټرولرز ، مثالي ډایډونه, PMIC - د بریښنا رسولو کنټرولران ، نظارت کونکي, انٹرفیس - موډیمونه - ICs او انډولونه and انٹرفیس - کوډ ورکونکي ، کوډودونکي ، اړونکي ...

د سیالۍ ګټه:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320E-6BLA2 electronic components. IS46R16320E-6BLA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS46R16320E-6BLA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

برخه شمیره : IS46R16320E-6BLA2

جوړوونکی : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

توضيح : IC DRAM 512M PARALLEL 166MHZ

لړۍ : -

برخه حالت : Active

د یاد ډول : Volatile

د حافظې ب .ه : DRAM

ټیکنالوژي : SDRAM - DDR

د حافظې اندازه : 512Mb (32M x 16)

د ساعت فریکونسۍ : 166MHz

د سایکل وخت - کلمه ، پا Writeه ولیکئ : 15ns

د رسي وخت : 700ps

د یادونې برسیر : Parallel

ولټاژ - عرضه کول : 2.3V ~ 2.7V

د تودوخې چلول : -40°C ~ 105°C (TA)

د غونډلو ډول : Surface Mount

بسته / قضیه : 60-TFBGA

د وړاندې کونکي توکي کڅوړه : 60-TFBGA (13x8)

تاسو ممکن پدې کې هم علاقه ولرئ

TH58NYG3S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V. NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
M93S56-WMN6T

STMicroelectronics

IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 8SO.
M95020-RMB6TG

STMicroelectronics

IC EEPROM 2K SPI 20MHZ 8UFDFPN.
S29GL01GT10FAI030

Cypress Semiconductor Corp

IC NOR. NOR Flash Nor
IDT71V416VL15PHI

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II.
IDT71V416VL15PH8

IDT, Integrated Device Technology Inc

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II.