برخه شمیره :
SI2306BDS-T1-GE3
جوړوونکی :
Vishay Siliconix
توضيح :
MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3
ټیکنالوژي :
MOSFET (Metal Oxide)
د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss) :
30V
اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C :
3.16A (Ta)
د موټر چلولو ولتاژ (د ډیرو څخه په ډیرو لږو راډونو سره) :
4.5V, 10V
Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs :
47 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (اعظمي) @ ID :
3V @ 250µA
د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs :
4.5nC @ 5V
د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds :
305pF @ 15V
د بریښنا تحلیل (اعظمي) :
750mW (Ta)
د تودوخې چلول :
-55°C ~ 150°C (TJ)
د غونډلو ډول :
Surface Mount
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
SOT-23-3 (TO-236)
بسته / قضیه :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3