Microsemi Corporation - 1N5822US

KEY Part #: K6441014

تفصیلي توضیحات:: DIODE SCHOTTKY 40V 3A B-MELF. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky

د کورنۍ کټګورۍ:: د کیی اجزاو شرکت ، LTD د بریښنایی اجزاو توزیع کونکی دی چې د محصول کټګورۍ وړاندیز کوي په شمول: ټرانزیټران - بایپولر (BJT) - تیرونه, ټرانزیټران - دوه قطبي (BJT) - RF, ټرانزیټران - بایپولر (BJT) - یوځای, تیریسټران - SCRs, Thyristors - SCRs - ماډلونه, ډایډز - د پل تصفیه کونکي, ټرانزیټران - بایپولر (BJT) - یوازینی ، دمخه وړاندې and تیوریسوران - ډایایکس ، SIDACs ...

د سیالۍ ګټه:: We specialize in Microsemi Corporation 1N5822US electronic components. 1N5822US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5822US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

برخه شمیره : 1N5822US

جوړوونکی : Microsemi Corporation

توضيح : DIODE SCHOTTKY 40V 3A B-MELF

لړۍ : -

برخه حالت : Active

د ډایډ ډول : Schottky

ولټاژ - DC ریورس (Vr) (اعظمي) : 40V

اوسنی - اوسط ترمیم شوی (Io) : 3A

ولټاژ - فارورډ (Vf) (اعظمي) @ که : 500mV @ 3A

سرعت : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

د بيرته راستنيدو وخت (trr) : -

اوسنی - ریورس لیکونه @ Vr : 100µA @ 40V

ظرفیت @ Vr ، F : -

د غونډلو ډول : Surface Mount

بسته / قضیه : SQ-MELF, B

د وړاندې کونکي توکي کڅوړه : B, SQ-MELF

عملیاتي تودوخه - جنکشن : -65°C ~ 125°C

تاسو ممکن پدې کې هم علاقه ولرئ

RURD420S9A_T

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 200V 4A TO252.
IDB10S60CATMA2

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK.
VS-8EWF04S-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3
VS-MURB1520TRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 15A D2PAK.
VS-20ETS08STRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB.
VS-20ETS12STRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK.