برخه شمیره :
TPH4R606NH,L1Q
جوړوونکی :
Toshiba Semiconductor and Storage
توضيح :
MOSFET N CH 60V 32A 8-SOP ADV
ټیکنالوژي :
MOSFET (Metal Oxide)
د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss) :
60V
اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C :
32A (Ta)
د موټر چلولو ولتاژ (د ډیرو څخه په ډیرو لږو راډونو سره) :
6.5V, 10V
Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs :
4.6 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (اعظمي) @ ID :
4V @ 500µA
د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs :
49nC @ 10V
د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds :
3965pF @ 30V
د بریښنا تحلیل (اعظمي) :
1.6W (Ta), 63W (Tc)
د تودوخې چلول :
150°C (TJ)
د غونډلو ډول :
Surface Mount
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
8-SOP Advance (5x5)
بسته / قضیه :
8-PowerVDFN