برخه شمیره :
TK31V60W,LVQ
جوړوونکی :
Toshiba Semiconductor and Storage
توضيح :
MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN
ټیکنالوژي :
MOSFET (Metal Oxide)
د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss) :
600V
اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C :
30.8A (Ta)
د موټر چلولو ولتاژ (د ډیرو څخه په ډیرو لږو راډونو سره) :
10V
Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs :
98 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (اعظمي) @ ID :
3.7V @ 1.5mA
د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs :
86nC @ 10V
د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds :
3000pF @ 300V
د FET ب .ه :
Super Junction
د بریښنا تحلیل (اعظمي) :
240W (Tc)
د تودوخې چلول :
150°C (TJ)
د غونډلو ډول :
Surface Mount
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
4-DFN-EP (8x8)
بسته / قضیه :
4-VSFN Exposed Pad