LS4151-GS18 نرخ (ډالر) [4453401د کمپیوټر سټاک]
- 1 pcs$0.00876
- 10,000 pcs$0.00872
- برخه شمیره:
- LS4151-GS18
- جوړوونکی:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- تفصیلي توضیحات:
- DIODE GEN PURP 50V 300MA SOD80. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 Volt 150mA 2.0 Amp IFSM
- Manufacturer's standard lead time:
- په ګدام کښي
- د شیلف ژوند:
- یو کال
- له څخه چپ:
- هانګ کانګ
- RoHS:
- د تادیې میتود:
-
- بار وړلو لاره:
- د کورنۍ کټګورۍ:
- د کیی اجزاو شرکت ، LTD د بریښنایی اجزاو توزیع کونکی دی چې د محصول کټګورۍ وړاندیز کوي په شمول: ډایډز - تغیر لرونکی ظرفیت (ویریکاپس ، وایرکټرونه), ټرانزیټرې - FETs ، MOSFETs - RF, تیوریسوران - ډایایکس ، SIDACs, ټرانزیټران - بایپولر (BJT) - تیرونه, ډایډز - د پل تصفیه کونکي, ډایډز - زینر - واحد, ډایډز - اصلاح کونکي - تیرونه and ټرانزیټران - بایپولر (BJT) - یوځای ...
- د سیالۍ ګټه:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division LS4151-GS18 electronic components. LS4151-GS18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for LS4151-GS18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
LS4151-GS18 د محصول ځانګړتیاوې
برخه شمیره :
LS4151-GS18
جوړوونکی :
Vishay Semiconductor Diodes Division
توضيح :
DIODE GEN PURP 50V 300MA SOD80
لړۍ :
Automotive, AEC-Q101
برخه حالت :
Active
د ډایډ ډول :
Standard
ولټاژ - DC ریورس (Vr) (اعظمي) :
50V
اوسنی - اوسط ترمیم شوی (Io) :
300mA
ولټاژ - فارورډ (Vf) (اعظمي) @ که :
1V @ 50mA
سرعت :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
د بيرته راستنيدو وخت (trr) :
4ns
اوسنی - ریورس لیکونه @ Vr :
50nA @ 50V
ظرفیت @ Vr ، F :
2pF @ 0V, 1MHz
د غونډلو ډول :
Surface Mount
بسته / قضیه :
SOD-80 Variant
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
SOD-80 QuadroMELF
عملیاتي تودوخه - جنکشن :
175°C (Max)
تازه ترین خبرونه
تاسو ممکن پدې کې هم علاقه ولرئ
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAL99E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
ګرم برخې
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08