Microsemi Corporation - 1N5806US

KEY Part #: K6441669

تفصیلي توضیحات:: DIODE GEN PURP 150V 1A D5A. Rectifiers D MET 2.5A SFST 150V SRFC MNT

د کورنۍ کټګورۍ:: د کیی اجزاو شرکت ، LTD د بریښنایی اجزاو توزیع کونکی دی چې د محصول کټګورۍ وړاندیز کوي په شمول: ډایډز - د پل تصفیه کونکي, Thyristors - SCRs - ماډلونه, ټرانزیټرې - IGBTs - ماډلونه, ټرانزیټران - بایپولر (BJT) - تیرونه, ټرانزیټرې - FETs ، MOSFETs - RF, د بریښنایی چلونکي موډلونه, ټرانزیټران - IGBTs - یوځای and ټرانزیټران - JFETs ...

د سیالۍ ګټه:: We specialize in Microsemi Corporation 1N5806US electronic components. 1N5806US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5806US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

برخه شمیره : 1N5806US

جوړوونکی : Microsemi Corporation

توضيح : DIODE GEN PURP 150V 1A D5A

لړۍ : -

برخه حالت : Active

د ډایډ ډول : Standard

ولټاژ - DC ریورس (Vr) (اعظمي) : 150V

اوسنی - اوسط ترمیم شوی (Io) : 1A

ولټاژ - فارورډ (Vf) (اعظمي) @ که : 875mV @ 1A

سرعت : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

د بيرته راستنيدو وخت (trr) : 25ns

اوسنی - ریورس لیکونه @ Vr : 1µA @ 150V

ظرفیت @ Vr ، F : 25pF @ 10V, 1MHz

د غونډلو ډول : Surface Mount

بسته / قضیه : SQ-MELF, A

د وړاندې کونکي توکي کڅوړه : D-5A

عملیاتي تودوخه - جنکشن : -65°C ~ 175°C

تاسو ممکن پدې کې هم علاقه ولرئ

CDBDSC10650-G

Comchip Technology

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 10A 650V
CDBDSC5650-G

Comchip Technology

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 650V
VS-8EWS10STRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.
VS-8EWS10STRRPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK.
VS-60APU02-N3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 60A TO247AC. Rectifiers 60A 200V Single Die 3 pins
VSB20L45-M3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 45V 7.5A P600.

ګرم برخې