که ستاسو ځای لیست شوی نه وي ، مهرباني وکړئ لاندې څخه یو غوره کړئ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

که ستاسو ځای لیست شوی نه وي ، مهرباني وکړئ لاندې څخه یو غوره کړئ:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. کور
  2. محصولات
  3. ادغام شوي سرکټونه (ICs)
  4. حافظه
  5. TC58NYG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc. - TC58NYG2S0HBAI4

KEY Part #: K937136

TC58NYG2S0HBAI4 نرخ (ډالر) [15996د کمپیوټر سټاک]

  • 1 pcs$2.86455
برخه شمیره:
TC58NYG2S0HBAI4
جوړوونکی:
Toshiba Memory America, Inc.
تفصیلي توضیحات:
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Manufacturer's standard lead time:
په ګدام کښي
د شیلف ژوند:
یو کال
له څخه چپ:
هانګ کانګ
RoHS:
د تادیې میتود:
بار وړلو لاره:
د کورنۍ کټګورۍ:
د کیی اجزاو شرکت ، LTD د بریښنایی اجزاو توزیع کونکی دی چې د محصول کټګورۍ وړاندیز کوي په شمول: ساعت / وخت - د ځنډ لاینونه, ضمیمه شوي - PLDs (د برنامه کیدو وړ منطق وسیله), PMIC - د تودوخې مدیریت, منطق - سیګنال سویچز ، ملټي پلسیرز ، ډیکوډرز, PMIC - د ایترنیټ ځواک (PoE) کنټرولران, PMIC - اوسنی مقررات / اداره, منطق - ګیټس او inverters and ضمیمه - مایکرو کنټرولرز ...
د سیالۍ ګټه:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TC58NYG2S0HBAI4 electronic components. TC58NYG2S0HBAI4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TC58NYG2S0HBAI4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TC58NYG2S0HBAI4 د محصول ځانګړتیاوې

برخه شمیره : TC58NYG2S0HBAI4
جوړوونکی : Toshiba Memory America, Inc.
توضيح : 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
لړۍ : -
برخه حالت : Active
د یاد ډول : Non-Volatile
د حافظې ب .ه : FLASH
ټیکنالوژي : FLASH - NAND (SLC)
د حافظې اندازه : 4Gb (512M x 8)
د ساعت فریکونسۍ : -
د سایکل وخت - کلمه ، پا Writeه ولیکئ : 25ns
د رسي وخت : -
د یادونې برسیر : -
ولټاژ - عرضه کول : 1.7V ~ 1.95V
د تودوخې چلول : -40°C ~ 85°C (TA)
د غونډلو ډول : Surface Mount
بسته / قضیه : 63-VFBGA
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه : 63-TFBGA (9x11)

تازه ترین خبرونه

Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
تاسو ممکن پدې کې هم علاقه ولرئ
  • MR25H256CDC

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 256K SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 256Kb 3V 32Kx8 Serial MRAM

  • MB85RS2MTPF-G-JNERE2

    Fujitsu Electronics America, Inc.

    IC FRAM 2M SPI 25MHZ 8SOP.

  • AT28HC256E-90SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 90NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28HC256-12SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 120NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28C256E-15SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • W9825G2JB-6I TR

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz, Ind Temp T&R

ګرم برخې