1N4005GA0 نرخ (ډالر) [3549200د کمپیوټر سټاک]
- 1 pcs$0.01042
- برخه شمیره:
- 1N4005GA0
- جوړوونکی:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- تفصیلي توضیحات:
- 1A600VSTD.GLASS PASSIVATED REC.
- Manufacturer's standard lead time:
- په ګدام کښي
- د شیلف ژوند:
- یو کال
- له څخه چپ:
- هانګ کانګ
- RoHS:
- د تادیې میتود:
-
- بار وړلو لاره:
- د کورنۍ کټګورۍ:
- د کیی اجزاو شرکت ، LTD د بریښنایی اجزاو توزیع کونکی دی چې د محصول کټګورۍ وړاندیز کوي په شمول: ټرانزیټرې - IGBTs - ماډلونه, ټرانزیټران - JFETs, ټرانزیټرې - FETs ، MOSFETs - تیرونه, ټرانزیټران - IGBTs - یوځای, ټرانزیټران - د برنامې وړ Unijunction, تیوریسوران - ډایایکس ، SIDACs, ډایډز - د پل تصفیه کونکي and ډایډز - اصلاح کونکي - تیرونه ...
- د سیالۍ ګټه:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation 1N4005GA0 electronic components. 1N4005GA0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N4005GA0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N4005GA0 د محصول ځانګړتیاوې
برخه شمیره :
1N4005GA0
جوړوونکی :
Taiwan Semiconductor Corporation
توضيح :
1A600VSTD.GLASS PASSIVATED REC
لړۍ :
-
برخه حالت :
Active
د ډایډ ډول :
Standard
ولټاژ - DC ریورس (Vr) (اعظمي) :
600V
اوسنی - اوسط ترمیم شوی (Io) :
1A
ولټاژ - فارورډ (Vf) (اعظمي) @ که :
1V @ 1A
سرعت :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
د بيرته راستنيدو وخت (trr) :
-
اوسنی - ریورس لیکونه @ Vr :
5µA @ 600V
ظرفیت @ Vr ، F :
10pF @ 4V, 1MHz
د غونډلو ډول :
Through Hole
بسته / قضیه :
DO-204AL, DO-41, Axial
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
DO-204AL (DO-41)
عملیاتي تودوخه - جنکشن :
-55°C ~ 150°C
تازه ترین خبرونه
تاسو ممکن پدې کې هم علاقه ولرئ
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
ګرم برخې
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08