برخه شمیره :
NSB8JTHE3/81
جوړوونکی :
Vishay Semiconductor Diodes Division
توضيح :
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
برخه حالت :
Discontinued at Digi-Key
ولټاژ - DC ریورس (Vr) (اعظمي) :
600V
اوسنی - اوسط ترمیم شوی (Io) :
8A
ولټاژ - فارورډ (Vf) (اعظمي) @ که :
1.1V @ 8A
سرعت :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
د بيرته راستنيدو وخت (trr) :
-
اوسنی - ریورس لیکونه @ Vr :
10µA @ 600V
ظرفیت @ Vr ، F :
55pF @ 4V, 1MHz
د غونډلو ډول :
Surface Mount
بسته / قضیه :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
TO-263AB
عملیاتي تودوخه - جنکشن :
-55°C ~ 150°C