Infineon Technologies - IPB120N04S402ATMA1

KEY Part #: K6402084

IPB120N04S402ATMA1 نرخ (ډالر) [79838د کمپیوټر سټاک]

  • 1 pcs$0.48975
  • 1,000 pcs$0.44934

برخه شمیره:
IPB120N04S402ATMA1
جوړوونکی:
Infineon Technologies
تفصیلي توضیحات:
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2.
Manufacturer's standard lead time:
په ګدام کښي
د شیلف ژوند:
یو کال
له څخه چپ:
هانګ کانګ
RoHS:
د تادیې میتود:
بار وړلو لاره:
د کورنۍ کټګورۍ:
د کیی اجزاو شرکت ، LTD د بریښنایی اجزاو توزیع کونکی دی چې د محصول کټګورۍ وړاندیز کوي په شمول: ټرانزیټران - بایپولر (BJT) - تیرونه ، دمخه تعصب, ټرانزیټران - IGBTs - یوځای, ټرانزیټران - FETs ، MOSFETs - یو واحد, ټرانزیټران - بایپولر (BJT) - تیرونه, ډایډز - زینر - تیرونه, ډایډز - RF, ټرانزیټران - د برنامې وړ Unijunction and ډایډز - تغیر لرونکی ظرفیت (ویریکاپس ، وایرکټرونه) ...
د سیالۍ ګټه:
We specialize in Infineon Technologies IPB120N04S402ATMA1 electronic components. IPB120N04S402ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB120N04S402ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB120N04S402ATMA1 د محصول ځانګړتیاوې

برخه شمیره : IPB120N04S402ATMA1
جوړوونکی : Infineon Technologies
توضيح : MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2
لړۍ : OptiMOS™
برخه حالت : Active
د FET ډول : N-Channel
ټیکنالوژي : MOSFET (Metal Oxide)
د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss) : 40V
اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C : 120A (Tc)
د موټر چلولو ولتاژ (د ډیرو څخه په ډیرو لږو راډونو سره) : 10V
Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs : 1.8 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (اعظمي) @ ID : 4V @ 110µA
د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs : 134nC @ 10V
Vgs (اعظمي) : ±20V
د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds : 10740pF @ 25V
د FET ب .ه : -
د بریښنا تحلیل (اعظمي) : 158W (Tc)
د تودوخې چلول : -55°C ~ 175°C (TJ)
د غونډلو ډول : Surface Mount
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه : D²PAK (TO-263AB)
بسته / قضیه : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

تاسو ممکن پدې کې هم علاقه ولرئ
  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.

  • ZVP2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 100V 0.23A TO92-3.