S4B M6G نرخ (ډالر) [696049د کمپیوټر سټاک]
- 1 pcs$0.05314
- برخه شمیره:
- S4B M6G
- جوړوونکی:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- تفصیلي توضیحات:
- DIODE GEN PURP 100V 4A DO214AB.
- Manufacturer's standard lead time:
- په ګدام کښي
- د شیلف ژوند:
- یو کال
- له څخه چپ:
- هانګ کانګ
- RoHS:
- د تادیې میتود:
-
- بار وړلو لاره:
- د کورنۍ کټګورۍ:
- د کیی اجزاو شرکت ، LTD د بریښنایی اجزاو توزیع کونکی دی چې د محصول کټګورۍ وړاندیز کوي په شمول: ټرانزیټران - IGBTs - تیرونه, تیریسټران - SCRs, ټرانزیټرې - FETs ، MOSFETs - تیرونه, ټرانزیټرې - IGBTs - ماډلونه, ټرانزیټرې - FETs ، MOSFETs - RF, ډایډز - ریکټفایر - واحد, ټرانزیټران - FETs ، MOSFETs - یو واحد and ډایډز - زینر - واحد ...
- د سیالۍ ګټه:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S4B M6G electronic components. S4B M6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S4B M6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S4B M6G د محصول ځانګړتیاوې
برخه شمیره :
S4B M6G
جوړوونکی :
Taiwan Semiconductor Corporation
توضيح :
DIODE GEN PURP 100V 4A DO214AB
لړۍ :
-
برخه حالت :
Not For New Designs
د ډایډ ډول :
Standard
ولټاژ - DC ریورس (Vr) (اعظمي) :
100V
اوسنی - اوسط ترمیم شوی (Io) :
4A
ولټاژ - فارورډ (Vf) (اعظمي) @ که :
1.15V @ 4A
سرعت :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
د بيرته راستنيدو وخت (trr) :
1.5µs
اوسنی - ریورس لیکونه @ Vr :
100µA @ 100V
ظرفیت @ Vr ، F :
60pF @ 4V, 1MHz
د غونډلو ډول :
Surface Mount
بسته / قضیه :
DO-214AB, SMC
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
DO-214AB (SMC)
عملیاتي تودوخه - جنکشن :
-55°C ~ 150°C
تازه ترین خبرونه
تاسو ممکن پدې کې هم علاقه ولرئ
-
GL41YHE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM
-
BYM07-150-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 150 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
RGL34G-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
-
BYM07-300-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
BYM07-50-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
EGL34C-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns
ګرم برخې
- BYV60W-600PQ
- 1N5821-A
- 1N4007-N-2-2-BP
- 1N6763
- 1N6843
- JANTX1N6843CCU3
- IDK03G65C5XTMA1
- MBRS3201PT3G
- GDP30P120B
- VS-6TQ035-N3
- VS-10ETF02STRLPBF
- V30120SHM3/4W
- RGP10KHM3/54
- S42160
- SB10-03A2-BT
- 1N3909A
- MBRB1050HE3/45
- S5GHE3/57T
- STTH5BCF060
- SRP300K-E3/54
- 70UR60G BK R
- GP15BHE3/73
- MDO1200-22N1
- IDD10SG60CXTMA1
- 1N4001GP
- BAS21_ND87Z
- VS-30BQ040TRPBF
- VS-10TQ045SPBF
- RS1D/1
- 8ETX06STRL
- MA27D2700L
- 181NQ045
- VS-90SQ045
- MBR1045/45
- HER203-AP
- CDLL0.5A30
- STPSC12065D
- RB068M-60TR
- HS3A M6G
- 1N4002GP-E3/73