Vishay Siliconix - SI2333CDS-T1-E3

KEY Part #: K6419140

SI2333CDS-T1-E3 نرخ (ډالر) [485597د کمپیوټر سټاک]

  • 1 pcs$0.07617
  • 3,000 pcs$0.06474

برخه شمیره:
SI2333CDS-T1-E3
جوړوونکی:
Vishay Siliconix
تفصیلي توضیحات:
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3.
Manufacturer's standard lead time:
په ګدام کښي
د شیلف ژوند:
یو کال
له څخه چپ:
هانګ کانګ
RoHS:
د تادیې میتود:
بار وړلو لاره:
د کورنۍ کټګورۍ:
د کیی اجزاو شرکت ، LTD د بریښنایی اجزاو توزیع کونکی دی چې د محصول کټګورۍ وړاندیز کوي په شمول: ټرانزیټران - بایپولر (BJT) - یوځای, ټرانزیټران - بایپولر (BJT) - یوازینی ، دمخه وړاندې, ډایډز - تغیر لرونکی ظرفیت (ویریکاپس ، وایرکټرونه), ټرانزیټران - دوه قطبي (BJT) - RF, ټرانزیټران - IGBTs - یوځای, ټرانزیټران - IGBTs - تیرونه, ډایډز - اصلاح کونکي - تیرونه and ټرانزیټران - د برنامې وړ Unijunction ...
د سیالۍ ګټه:
We specialize in Vishay Siliconix SI2333CDS-T1-E3 electronic components. SI2333CDS-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2333CDS-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2333CDS-T1-E3 د محصول ځانګړتیاوې

برخه شمیره : SI2333CDS-T1-E3
جوړوونکی : Vishay Siliconix
توضيح : MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
لړۍ : TrenchFET®
برخه حالت : Active
د FET ډول : P-Channel
ټیکنالوژي : MOSFET (Metal Oxide)
د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss) : 12V
اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C : 7.1A (Tc)
د موټر چلولو ولتاژ (د ډیرو څخه په ډیرو لږو راډونو سره) : 1.8V, 4.5V
Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs : 35 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (اعظمي) @ ID : 1V @ 250µA
د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs : 25nC @ 4.5V
Vgs (اعظمي) : ±8V
د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds : 1225pF @ 6V
د FET ب .ه : -
د بریښنا تحلیل (اعظمي) : 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
د تودوخې چلول : -55°C ~ 150°C (TJ)
د غونډلو ډول : Surface Mount
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه : SOT-23-3 (TO-236)
بسته / قضیه : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3