GeneSiC Semiconductor - GA10JT12-247

KEY Part #: K6404176

د کورنۍ کټګورۍ:: د کیی اجزاو شرکت ، LTD د بریښنایی اجزاو توزیع کونکی دی چې د محصول کټګورۍ وړاندیز کوي په شمول: تیوریسوران - ډایایکس ، SIDACs, ټرانزیټران - دوه قطبي (BJT) - RF, ټرانزیټران - FETs ، MOSFETs - یو واحد, ټرانزیټران - IGBTs - تیرونه, ټرانزیټران - بایپولر (BJT) - یوازینی ، دمخه وړاندې, ټرانزیټرې - IGBTs - ماډلونه, د بریښنایی چلونکي موډلونه and ډایډز - تغیر لرونکی ظرفیت (ویریکاپس ، وایرکټرونه) ...

د سیالۍ ګټه:: We specialize in GeneSiC Semiconductor GA10JT12-247 electronic components. GA10JT12-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA10JT12-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

برخه شمیره : GA10JT12-247

جوړوونکی : GeneSiC Semiconductor

توضيح : TRANS SJT 1.2KV 10A

لړۍ : -

برخه حالت : Obsolete

د FET ډول : -

ټیکنالوژي : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss) : 1200V

اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C : 10A (Tc)

د موټر چلولو ولتاژ (د ډیرو څخه په ډیرو لږو راډونو سره) : -

Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs : 140 mOhm @ 10A

Vgs (th) (اعظمي) @ ID : -

د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs : -

Vgs (اعظمي) : -

د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds : -

د FET ب .ه : -

د بریښنا تحلیل (اعظمي) : 170W (Tc)

د تودوخې چلول : 175°C (TJ)

د غونډلو ډول : Through Hole

د وړاندې کونکي توکي کڅوړه : TO-247AB

بسته / قضیه : TO-247-3

تاسو ممکن پدې کې هم علاقه ولرئ

NP60N055VUK-E1-AY

Renesas Electronics America

MOSFET N-CH 55V 60A TO-252.
NP60N04VUK-E1-AY

Renesas Electronics America

MOSFET N-CH 40V 60A TO-252.
AUIRLR024Z

Infineon Technologies

MOSFET N CH 55V 16A DPAK.
AUIRFR4292

Infineon Technologies

MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.
IRFR7440PBF

Infineon Technologies

MOSFET N CH 40V 90A DPAK.
TK16A60W5,S4VX

Toshiba Semiconductor and Storage

MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS.