برخه شمیره :
TPC8115(TE12L,Q,M)
جوړوونکی :
Toshiba Semiconductor and Storage
توضيح :
MOSFET P-CH 20V 10A SOP8 2-6J1B
ټیکنالوژي :
MOSFET (Metal Oxide)
د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss) :
20V
اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C :
10A (Ta)
د موټر چلولو ولتاژ (د ډیرو څخه په ډیرو لږو راډونو سره) :
1.8V, 4.5V
Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs :
10 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (اعظمي) @ ID :
1.2V @ 200µA
د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs :
115nC @ 5V
د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds :
9130pF @ 10V
د بریښنا تحلیل (اعظمي) :
1W (Ta)
د تودوخې چلول :
150°C (TJ)
د غونډلو ډول :
Surface Mount
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
8-SOP (5.5x6.0)
بسته / قضیه :
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)