برخه شمیره :
TK35N65W5,S1F
جوړوونکی :
Toshiba Semiconductor and Storage
توضيح :
MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
ټیکنالوژي :
MOSFET (Metal Oxide)
د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss) :
650V
اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C :
35A (Ta)
د موټر چلولو ولتاژ (د ډیرو څخه په ډیرو لږو راډونو سره) :
10V
Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs :
95 mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (اعظمي) @ ID :
4.5V @ 2.1mA
د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs :
115nC @ 10V
د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds :
4100pF @ 300V
د بریښنا تحلیل (اعظمي) :
270W (Tc)
د تودوخې چلول :
150°C (TJ)
د غونډلو ډول :
Through Hole
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
TO-247