برخه شمیره :
TPW4R50ANH,L1Q
جوړوونکی :
Toshiba Semiconductor and Storage
توضيح :
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
ټیکنالوژي :
MOSFET (Metal Oxide)
د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss) :
100V
اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C :
92A (Tc)
د موټر چلولو ولتاژ (د ډیرو څخه په ډیرو لږو راډونو سره) :
10V
Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs :
4.5 mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (اعظمي) @ ID :
4V @ 1mA
د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs :
58nC @ 10V
د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds :
5200pF @ 50V
د بریښنا تحلیل (اعظمي) :
800mW (Ta), 142W (Tc)
د تودوخې چلول :
150°C (TJ)
د غونډلو ډول :
Surface Mount
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
8-DSOP Advance
بسته / قضیه :
8-PowerVDFN