برخه شمیره :
DMT10H025SSS-13
جوړوونکی :
Diodes Incorporated
توضيح :
MOSFETN-CHAN 100V SO-8
ټیکنالوژي :
MOSFET (Metal Oxide)
د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss) :
100V
اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C :
7.4A (Ta)
د موټر چلولو ولتاژ (د ډیرو څخه په ډیرو لږو راډونو سره) :
6V, 10V
Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs :
23 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (اعظمي) @ ID :
4V @ 250µA
د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs :
21.4nC @ 10V
د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds :
1544pF @ 50V
د بریښنا تحلیل (اعظمي) :
1.4W (Ta)
د تودوخې چلول :
-55°C ~ 150°C (TJ)
د غونډلو ډول :
Surface Mount
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
8-SO
بسته / قضیه :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)