RSFALHRHG نرخ (ډالر) [1948362د کمپیوټر سټاک]
- 1 pcs$0.01898
- برخه شمیره:
- RSFALHRHG
- جوړوونکی:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- تفصیلي توضیحات:
- DIODE GEN PURP 50V 500MA SUB SMA.
- Manufacturer's standard lead time:
- په ګدام کښي
- د شیلف ژوند:
- یو کال
- له څخه چپ:
- هانګ کانګ
- RoHS:
- د تادیې میتود:
-
- بار وړلو لاره:
- د کورنۍ کټګورۍ:
- د کیی اجزاو شرکت ، LTD د بریښنایی اجزاو توزیع کونکی دی چې د محصول کټګورۍ وړاندیز کوي په شمول: ټرانزیټران - دوه قطبي (BJT) - RF, ټرانزیټرې - FETs ، MOSFETs - RF, تیوریسوران - ډایایکس ، SIDACs, تیریسټران - SCRs, ټرانزیټران - IGBTs - یوځای, ټرانزیټران - بایپولر (BJT) - یوازینی ، دمخه وړاندې, ټرانزیټران - بایپولر (BJT) - تیرونه ، دمخه تعصب and ټرانزیټران - IGBTs - تیرونه ...
- د سیالۍ ګټه:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation RSFALHRHG electronic components. RSFALHRHG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RSFALHRHG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RSFALHRHG د محصول ځانګړتیاوې
برخه شمیره :
RSFALHRHG
جوړوونکی :
Taiwan Semiconductor Corporation
توضيح :
DIODE GEN PURP 50V 500MA SUB SMA
لړۍ :
Automotive, AEC-Q101
برخه حالت :
Active
د ډایډ ډول :
Standard
ولټاژ - DC ریورس (Vr) (اعظمي) :
50V
اوسنی - اوسط ترمیم شوی (Io) :
500mA
ولټاژ - فارورډ (Vf) (اعظمي) @ که :
1.3V @ 500mA
سرعت :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
د بيرته راستنيدو وخت (trr) :
150ns
اوسنی - ریورس لیکونه @ Vr :
5µA @ 50V
ظرفیت @ Vr ، F :
4pF @ 4V, 1MHz
د غونډلو ډول :
Surface Mount
بسته / قضیه :
DO-219AB
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
Sub SMA
عملیاتي تودوخه - جنکشن :
-55°C ~ 150°C
تازه ترین خبرونه
تاسو ممکن پدې کې هم علاقه ولرئ
-
MSC010SDA070K
Microsemi Corporation
DIODE SCHOTTKY 700V 10A TO220-3. Schottky Diodes & Rectifiers 700 V, 10 A SiC SBD
-
-
NSB8JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
-
NSB8KT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB. Rectifiers 800 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
-
NSB8MT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 1000 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
-
NSB8JT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3
ګرم برخې
- BYV60W-600PQ
- 1N5821-A
- 1N4007-N-2-2-BP
- 1N6763
- 1N6843
- JANTX1N6843CCU3
- IDK03G65C5XTMA1
- MBRS3201PT3G
- GDP30P120B
- VS-6TQ035-N3
- VS-10ETF02STRLPBF
- V30120SHM3/4W
- RGP10KHM3/54
- S42160
- SB10-03A2-BT
- 1N3909A
- MBRB1050HE3/45
- S5GHE3/57T
- STTH5BCF060
- SRP300K-E3/54
- 70UR60G BK R
- GP15BHE3/73
- MDO1200-22N1
- IDD10SG60CXTMA1
- 1N4001GP
- BAS21_ND87Z
- VS-30BQ040TRPBF
- VS-10TQ045SPBF
- RS1D/1
- 8ETX06STRL
- MA27D2700L
- 181NQ045
- VS-90SQ045
- MBR1045/45
- HER203-AP
- CDLL0.5A30
- STPSC12065D
- RB068M-60TR
- HS3A M6G
- 1N4002GP-E3/73