برخه شمیره :
TPC8062-H,LQ(CM
جوړوونکی :
Toshiba Semiconductor and Storage
توضيح :
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
ټیکنالوژي :
MOSFET (Metal Oxide)
د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss) :
30V
اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C :
18A (Ta)
د موټر چلولو ولتاژ (د ډیرو څخه په ډیرو لږو راډونو سره) :
4.5V, 10V
Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs :
5.8 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (اعظمي) @ ID :
2.3V @ 300µA
د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs :
34nC @ 10V
د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds :
2900pF @ 10V
د بریښنا تحلیل (اعظمي) :
1W (Ta)
د تودوخې چلول :
150°C (TJ)
د غونډلو ډول :
Surface Mount
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
8-SOP
بسته / قضیه :
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)