برخه شمیره :
PSMN165-200K,518
جوړوونکی :
Nexperia USA Inc.
توضيح :
MOSFET N-CH 200V 2.9A SOT96-1
ټیکنالوژي :
MOSFET (Metal Oxide)
د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss) :
200V
اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C :
2.9A (Tc)
د موټر چلولو ولتاژ (د ډیرو څخه په ډیرو لږو راډونو سره) :
10V
Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs :
165 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (اعظمي) @ ID :
4V @ 1mA
د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs :
40nC @ 10V
د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds :
1330pF @ 25V
د بریښنا تحلیل (اعظمي) :
3.5W (Tc)
د تودوخې چلول :
-55°C ~ 150°C (TJ)
د غونډلو ډول :
Surface Mount
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
8-SO
بسته / قضیه :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)