ES1DLHMHG نرخ (ډالر) [1289239د کمپیوټر سټاک]
- 1 pcs$0.02869
- برخه شمیره:
- ES1DLHMHG
- جوړوونکی:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- تفصیلي توضیحات:
- DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA.
- Manufacturer's standard lead time:
- په ګدام کښي
- د شیلف ژوند:
- یو کال
- له څخه چپ:
- هانګ کانګ
- RoHS:
- د تادیې میتود:
-
- بار وړلو لاره:
- د کورنۍ کټګورۍ:
- د کیی اجزاو شرکت ، LTD د بریښنایی اجزاو توزیع کونکی دی چې د محصول کټګورۍ وړاندیز کوي په شمول: ډایډز - زینر - واحد, ټرانزیټران - IGBTs - تیرونه, ټرانزیټرې - IGBTs - ماډلونه, ډایډز - تغیر لرونکی ظرفیت (ویریکاپس ، وایرکټرونه), ټرانزیټران - بایپولر (BJT) - تیرونه, Thyristors - SCRs - ماډلونه, ټرانزیټران - بایپولر (BJT) - یوځای and ټرانزیټران - بایپولر (BJT) - یوازینی ، دمخه وړاندې ...
- د سیالۍ ګټه:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation ES1DLHMHG electronic components. ES1DLHMHG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES1DLHMHG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ES1DLHMHG د محصول ځانګړتیاوې
برخه شمیره :
ES1DLHMHG
جوړوونکی :
Taiwan Semiconductor Corporation
توضيح :
DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA
لړۍ :
Automotive, AEC-Q101
برخه حالت :
Active
د ډایډ ډول :
Standard
ولټاژ - DC ریورس (Vr) (اعظمي) :
200V
اوسنی - اوسط ترمیم شوی (Io) :
1A
ولټاژ - فارورډ (Vf) (اعظمي) @ که :
950mV @ 1A
سرعت :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
د بيرته راستنيدو وخت (trr) :
35ns
اوسنی - ریورس لیکونه @ Vr :
5µA @ 200V
ظرفیت @ Vr ، F :
10pF @ 4V, 1MHz
د غونډلو ډول :
Surface Mount
بسته / قضیه :
DO-219AB
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
Sub SMA
عملیاتي تودوخه - جنکشن :
-55°C ~ 150°C
تازه ترین خبرونه
تاسو ممکن پدې کې هم علاقه ولرئ
-
MSC010SDA070K
Microsemi Corporation
DIODE SCHOTTKY 700V 10A TO220-3. Schottky Diodes & Rectifiers 700 V, 10 A SiC SBD
-
-
VB30100S-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 30A 100V TO-263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30A,100V,TRENCH SKY RECT.
-
VB30120S-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 120V 30A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30 Amp 120 Volt Single TrenchMOS
-
NSB8AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 8A TO263AB. Rectifiers 50 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
-
NSB8JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 600 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
ګرم برخې
- CN646 BK
- IRD3CH53DB6
- VS-20MQ100NPBF
- 1N4002GPEHE3/91
- RS1PBHM3/85A
- VS-30WQ03FNPBF
- SK36/TR13
- CD214A-B130LLF
- VS-50WQ06FNPBF
- CDBA320L-G
- VS-80EPF12PBF
- 1N4551A
- C2D05120E
- RB520S-30FTE61
- MBRB735-E3/45
- VS-20ETF04STRRPBF
- 1N1616A
- APT15D30KG
- SDP06S60
- RGP20JHE3/73
- R6100625XXYZ
- R6100230XXYZ
- UG1002-T
- STTH5R06G
- MURA240T3
- VS-31DQ05TR
- NUR460/L02,112
- MUR1510H
- CTLSH1-50M832DS BK
- SF34-TP
- RL251M-TP
- R5000-TP
- FR1007-AP
- STPS30170DJF-TR
- ESH3C-E3/9AT
- RB053L-30TE25
- RU 1CV
- ES3B-E3/9AT
- IMBD4148-HE3-08
- LS4154GS18