BYG10J-M3/TR نرخ (ډالر) [742232د کمپیوټر سټاک]
- 1 pcs$0.05071
- 12,600 pcs$0.05046
- برخه شمیره:
- BYG10J-M3/TR
- جوړوونکی:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- تفصیلي توضیحات:
- DIODE AVALANCHE 600V 1.5A. Rectifiers 1.5A,600V VGSC-STD Avalanche SMD
- Manufacturer's standard lead time:
- په ګدام کښي
- د شیلف ژوند:
- یو کال
- له څخه چپ:
- هانګ کانګ
- RoHS:
- د تادیې میتود:
-
- بار وړلو لاره:
- د کورنۍ کټګورۍ:
- د کیی اجزاو شرکت ، LTD د بریښنایی اجزاو توزیع کونکی دی چې د محصول کټګورۍ وړاندیز کوي په شمول: ټرانزیټرې - FETs ، MOSFETs - RF, د بریښنایی چلونکي موډلونه, ټرانزیټران - IGBTs - تیرونه, ټرانزیټران - JFETs, ټرانزیټران - بایپولر (BJT) - تیرونه ، دمخه تعصب, تیوریسوران - ډایایکس ، SIDACs, ټرانزیټرې - IGBTs - ماډلونه and ډایډز - اصلاح کونکي - تیرونه ...
- د سیالۍ ګټه:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG10J-M3/TR electronic components. BYG10J-M3/TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG10J-M3/TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BYG10J-M3/TR د محصول ځانګړتیاوې
برخه شمیره :
BYG10J-M3/TR
جوړوونکی :
Vishay Semiconductor Diodes Division
توضيح :
DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
لړۍ :
Automotive, AEC-Q101
برخه حالت :
Active
د ډایډ ډول :
Avalanche
ولټاژ - DC ریورس (Vr) (اعظمي) :
600V
اوسنی - اوسط ترمیم شوی (Io) :
1.5A
ولټاژ - فارورډ (Vf) (اعظمي) @ که :
1.15V @ 1.5A
سرعت :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
د بيرته راستنيدو وخت (trr) :
4µs
اوسنی - ریورس لیکونه @ Vr :
1µA @ 600V
ظرفیت @ Vr ، F :
-
د غونډلو ډول :
Surface Mount
بسته / قضیه :
DO-214AC, SMA
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
DO-214AC (SMA)
عملیاتي تودوخه - جنکشن :
-55°C ~ 150°C
تازه ترین خبرونه
تاسو ممکن پدې کې هم علاقه ولرئ
-
VS-6EWL06FN-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA. Rectifiers 6A 600V 59ns Ultrafast
-
SD103A-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 40V SGL DO35. Schottky Diodes & Rectifiers 5uA 40 Volt 15A IFSM
-
BAV19-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120 Volt 625mA
-
BAV17-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 20V 250MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching 25 Volt 625mA
-
1N4454-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA DO204AH. Rectifiers Vr/100V Io/10mA
-
1N4454-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 75V 150MA DO204AH. Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/100V Io/10mA
ګرم برخې
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08