برخه شمیره :
IPB50N10S3L16ATMA1
جوړوونکی :
Infineon Technologies
توضيح :
MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
ټیکنالوژي :
MOSFET (Metal Oxide)
د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss) :
100V
اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C :
50A (Tc)
د موټر چلولو ولتاژ (د ډیرو څخه په ډیرو لږو راډونو سره) :
4.5V, 10V
Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs :
15.4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (اعظمي) @ ID :
2.4V @ 60µA
د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs :
64nC @ 10V
د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds :
4180pF @ 25V
د بریښنا تحلیل (اعظمي) :
100W (Tc)
د تودوخې چلول :
-55°C ~ 175°C (TJ)
د غونډلو ډول :
Surface Mount
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
PG-TO263-3-2
بسته / قضیه :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB