جوړوونکی :
Microsemi Corporation
توضيح :
POWER MOSFET - SIC
ټیکنالوژي :
SiCFET (Silicon Carbide)
د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss) :
1200V
اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C :
80A (Tc)
د موټر چلولو ولتاژ (د ډیرو څخه په ډیرو لږو راډونو سره) :
20V
Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs :
55 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (اعظمي) @ ID :
2.5V @ 1mA
د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs :
235nC @ 20V
د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds :
-
د بریښنا تحلیل (اعظمي) :
555W (Tc)
د تودوخې چلول :
-55°C ~ 175°C (TJ)
د غونډلو ډول :
Through Hole
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
TO-247