برخه شمیره :
TSM180N03PQ33 RGG
جوړوونکی :
Taiwan Semiconductor Corporation
توضيح :
MOSFET N-CH 30V 25A 8PDFN
ټیکنالوژي :
MOSFET (Metal Oxide)
د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss) :
30V
اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C :
25A (Tc)
د موټر چلولو ولتاژ (د ډیرو څخه په ډیرو لږو راډونو سره) :
4.5V, 10V
Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs :
18 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (اعظمي) @ ID :
2.5V @ 250µA
د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs :
4.1nC @ 4.5V
د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds :
345pF @ 25V
د بریښنا تحلیل (اعظمي) :
21W (Tc)
د تودوخې چلول :
150°C (TJ)
د غونډلو ډول :
Surface Mount
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
8-PDFN (3x3)
بسته / قضیه :
8-PowerWDFN