Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-GA100TS120UPBF

KEY Part #: K6533632

[4336د کمپیوټر سټاک]


    برخه شمیره:
    VS-GA100TS120UPBF
    جوړوونکی:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    تفصیلي توضیحات:
    IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    په ګدام کښي
    د شیلف ژوند:
    یو کال
    له څخه چپ:
    هانګ کانګ
    RoHS:
    د تادیې میتود:
    بار وړلو لاره:
    د کورنۍ کټګورۍ:
    د کیی اجزاو شرکت ، LTD د بریښنایی اجزاو توزیع کونکی دی چې د محصول کټګورۍ وړاندیز کوي په شمول: Thyristors - SCRs - ماډلونه, ټرانزیټران - بایپولر (BJT) - یوازینی ، دمخه وړاندې, ډایډز - د پل تصفیه کونکي, ټرانزیټران - ځانګړي هدف, ټرانزیټران - IGBTs - تیرونه, ډایډز - زینر - تیرونه, ټرانزیټران - د برنامې وړ Unijunction and ټرانزیټرې - IGBTs - ماډلونه ...
    د سیالۍ ګټه:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GA100TS120UPBF electronic components. VS-GA100TS120UPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-GA100TS120UPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VS-GA100TS120UPBF د محصول ځانګړتیاوې

    برخه شمیره : VS-GA100TS120UPBF
    جوړوونکی : Vishay Semiconductor Diodes Division
    توضيح : IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK
    لړۍ : -
    برخه حالت : Obsolete
    د IGBT ډول : -
    شکل بندي : Half Bridge
    وولٹیج - د کلکټر امیټر بریکنډا (میکس) : 1200V
    اوسنی - کلکسیون (Ic) (میکس) : 182A
    ځواک - اعظمي : 520W
    Vce (آن) (اعظمي) @ Vge ، Ic : 3V @ 15V, 100A
    اوسنی - د کلیکټر کټ آف (میکس) : 1mA
    د ننوت ظرفیت (Cies) @ Vce : 18.67nF @ 30V
    ننوتنه : Standard
    د NTC ترمامور : No
    د تودوخې چلول : -40°C ~ 150°C (TJ)
    د غونډلو ډول : Chassis Mount
    بسته / قضیه : INT-A-Pak
    د وړاندې کونکي توکي کڅوړه : INT-A-PAK

    تاسو ممکن پدې کې هم علاقه ولرئ
    • VS-GT175DA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.

    • VS-CPV363M4KPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

    • VS-GT100NA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

    • VS-GT100LA120UX

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.

    • VS-GT100DA60U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

    • VS-GT100DA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.