برخه شمیره :
TPC6011(TE85L,F,M)
جوړوونکی :
Toshiba Semiconductor and Storage
توضيح :
MOSFET N-CH 30V 6A VS6
ټیکنالوژي :
MOSFET (Metal Oxide)
د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss) :
30V
اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C :
6A (Ta)
د موټر چلولو ولتاژ (د ډیرو څخه په ډیرو لږو راډونو سره) :
4.5V, 10V
Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs :
20 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (اعظمي) @ ID :
2.5V @ 1mA
د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs :
14nC @ 10V
د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds :
640pF @ 10V
د بریښنا تحلیل (اعظمي) :
700mW (Ta)
د تودوخې چلول :
150°C (TJ)
د غونډلو ډول :
Surface Mount
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
VS-6 (2.9x2.8)
بسته / قضیه :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6