Vishay Siliconix - SQD50N10-8M9L_GE3

KEY Part #: K6402023

SQD50N10-8M9L_GE3 نرخ (ډالر) [121110د کمپیوټر سټاک]

  • 1 pcs$0.30541
  • 2,000 pcs$0.28504

برخه شمیره:
SQD50N10-8M9L_GE3
جوړوونکی:
Vishay Siliconix
تفصیلي توضیحات:
MOSFET N-CHAN 100V TO252.
Manufacturer's standard lead time:
په ګدام کښي
د شیلف ژوند:
یو کال
له څخه چپ:
هانګ کانګ
RoHS:
د تادیې میتود:
بار وړلو لاره:
د کورنۍ کټګورۍ:
د کیی اجزاو شرکت ، LTD د بریښنایی اجزاو توزیع کونکی دی چې د محصول کټګورۍ وړاندیز کوي په شمول: ټرانزیټرې - FETs ، MOSFETs - تیرونه, د بریښنایی چلونکي موډلونه, ټرانزیټران - بایپولر (BJT) - تیرونه ، دمخه تعصب, ټرانزیټران - بایپولر (BJT) - یوځای, ډایډز - زینر - واحد, تیوریسوران - ډایایکس ، SIDACs, ډایډز - اصلاح کونکي - تیرونه and ټرانزیټران - بایپولر (BJT) - یوازینی ، دمخه وړاندې ...
د سیالۍ ګټه:
We specialize in Vishay Siliconix SQD50N10-8M9L_GE3 electronic components. SQD50N10-8M9L_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQD50N10-8M9L_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQD50N10-8M9L_GE3 د محصول ځانګړتیاوې

برخه شمیره : SQD50N10-8M9L_GE3
جوړوونکی : Vishay Siliconix
توضيح : MOSFET N-CHAN 100V TO252
لړۍ : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
برخه حالت : Active
د FET ډول : N-Channel
ټیکنالوژي : MOSFET (Metal Oxide)
د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss) : 100V
اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C : 50A (Tc)
د موټر چلولو ولتاژ (د ډیرو څخه په ډیرو لږو راډونو سره) : 4.5V, 10V
Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs : 8.9 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (اعظمي) @ ID : 2.5V @ 250µA
د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (اعظمي) : ±20V
د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds : 2950pF @ 25V
د FET ب .ه : -
د بریښنا تحلیل (اعظمي) : 136W (Tc)
د تودوخې چلول : -55°C ~ 175°C (TJ)
د غونډلو ډول : Surface Mount
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه : TO-252AA
بسته / قضیه : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

تاسو ممکن پدې کې هم علاقه ولرئ
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.