ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43R86400F-5BL-TR

KEY Part #: K938086

تفصیلي توضیحات:: IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ. DRAM 512M 64Mx8 200MHz DDR 2.5V

د کورنۍ کټګورۍ:: د کیی اجزاو شرکت ، LTD د بریښنایی اجزاو توزیع کونکی دی چې د محصول کټګورۍ وړاندیز کوي په شمول: انٹرفیس - تخصص شوی, انٹرفیس - سینسر ، کاپیسا ټچ, PMIC - د AC DC بدلونکي ، آفلاین سویچرې, د معلوماتو لاسته راوړنه - د ډیجیټل بدلونکو انډول (, PMIC - لیزر چلوونکي, انٹرفیس - د غږ ریکارډ او پلې بیک, د معلوماتو لاسته راوړنه - د ټچ سکرین کنټرولرونه and ساعت / وخت - د ساعت جنریټرې ، PLLs ، د فریکونسي تر ...

د سیالۍ ګټه:: We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400F-5BL-TR electronic components. IS43R86400F-5BL-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43R86400F-5BL-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

برخه شمیره : IS43R86400F-5BL-TR

جوړوونکی : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

توضيح : IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ

لړۍ : -

برخه حالت : Active

د یاد ډول : Volatile

د حافظې ب .ه : DRAM

ټیکنالوژي : SDRAM - DDR

د حافظې اندازه : 512Mb (64M x 8)

د ساعت فریکونسۍ : 200MHz

د سایکل وخت - کلمه ، پا Writeه ولیکئ : 15ns

د رسي وخت : 700ps

د یادونې برسیر : Parallel

ولټاژ - عرضه کول : 2.3V ~ 2.7V

د تودوخې چلول : 0°C ~ 70°C (TA)

د غونډلو ډول : Surface Mount

بسته / قضیه : 60-TFBGA

د وړاندې کونکي توکي کڅوړه : 60-TFBGA (13x8)

Silicom MinnowBoard Turbot

تاسو ممکن پدې کې هم علاقه ولرئ

GD25S512MDFIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

NOR FLASH.
TC58BYG2S0HBAI4

Toshiba Memory America, Inc.

4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 EE. NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
S29GL512T11DHIV23

Cypress Semiconductor Corp

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash NOR
S29GL512S11DHIV23

Cypress Semiconductor Corp

IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA. NOR Flash Nor
S34MS01G104BHV013

Cypress Semiconductor Corp

IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA.
S34MS01G100BHI900

Cypress Semiconductor Corp

IC FLASH 1G PARALLEL 63BGA.

ګرم برخې