برخه شمیره :
SI5463EDC-T1-GE3
جوړوونکی :
Vishay Siliconix
توضيح :
MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8
ټیکنالوژي :
MOSFET (Metal Oxide)
د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss) :
20V
اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C :
3.8A (Ta)
د موټر چلولو ولتاژ (د ډیرو څخه په ډیرو لږو راډونو سره) :
1.8V, 4.5V
Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs :
62 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (اعظمي) @ ID :
450mV @ 250µA (Min)
د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs :
15nC @ 4.5V
د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds :
-
د بریښنا تحلیل (اعظمي) :
1.25W (Ta)
د تودوخې چلول :
-55°C ~ 150°C (TJ)
د غونډلو ډول :
Surface Mount
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
1206-8 ChipFET™
بسته / قضیه :
8-SMD, Flat Lead