Vishay Siliconix - SQJ401EP-T1_GE3

KEY Part #: K6419049

SQJ401EP-T1_GE3 نرخ (ډالر) [89398د کمپیوټر سټاک]

  • 1 pcs$0.43737

برخه شمیره:
SQJ401EP-T1_GE3
جوړوونکی:
Vishay Siliconix
تفصیلي توضیحات:
MOSFET P-CH 12V 32A POWERPAKSO-8.
Manufacturer's standard lead time:
په ګدام کښي
د شیلف ژوند:
یو کال
له څخه چپ:
هانګ کانګ
RoHS:
د تادیې میتود:
بار وړلو لاره:
د کورنۍ کټګورۍ:
د کیی اجزاو شرکت ، LTD د بریښنایی اجزاو توزیع کونکی دی چې د محصول کټګورۍ وړاندیز کوي په شمول: ټرانزیټران - بایپولر (BJT) - یوځای, Thyristors - TRIACs, ټرانزیټرې - IGBTs - ماډلونه, ټرانزیټرې - FETs ، MOSFETs - RF, Thyristors - SCRs - ماډلونه, ټرانزیټران - ځانګړي هدف, ټرانزیټران - دوه قطبي (BJT) - RF and ډایډز - تغیر لرونکی ظرفیت (ویریکاپس ، وایرکټرونه) ...
د سیالۍ ګټه:
We specialize in Vishay Siliconix SQJ401EP-T1_GE3 electronic components. SQJ401EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ401EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ401EP-T1_GE3 د محصول ځانګړتیاوې

برخه شمیره : SQJ401EP-T1_GE3
جوړوونکی : Vishay Siliconix
توضيح : MOSFET P-CH 12V 32A POWERPAKSO-8
لړۍ : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
برخه حالت : Active
د FET ډول : P-Channel
ټیکنالوژي : MOSFET (Metal Oxide)
د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss) : 12V
اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C : 32A (Tc)
د موټر چلولو ولتاژ (د ډیرو څخه په ډیرو لږو راډونو سره) : 2.5V, 4.5V
Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs : 6 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (اعظمي) @ ID : 1.5V @ 250µA
د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs : 164nC @ 4.5V
Vgs (اعظمي) : ±8V
د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds : 10015pF @ 6V
د FET ب .ه : -
د بریښنا تحلیل (اعظمي) : 83W (Tc)
د تودوخې چلول : -55°C ~ 175°C (TJ)
د غونډلو ډول : Surface Mount
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه : PowerPAK® SO-8
بسته / قضیه : PowerPAK® SO-8

تاسو ممکن پدې کې هم علاقه ولرئ