جوړوونکی :
GeneSiC Semiconductor
توضيح :
DIODE MODULE 600V 300A 2TOWER
د ډایډ ترتیب :
1 Pair Common Anode
ولټاژ - DC ریورس (Vr) (اعظمي) :
600V
اوسنی - اوسط ترمیم شوی (Io) (فی ډیایډ) :
300A (DC)
ولټاژ - فارورډ (Vf) (اعظمي) @ که :
1.7V @ 100A
سرعت :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
د بيرته راستنيدو وخت (trr) :
90ns
اوسنی - ریورس لیکونه @ Vr :
25µA @ 50V
عملیاتي تودوخه - جنکشن :
-55°C ~ 150°C
د غونډلو ډول :
Chassis Mount
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
Twin Tower