BAS16,235 نرخ (ډالر) [4776375د کمپیوټر سټاک]
- 1 pcs$0.00774
- 10,000 pcs$0.00723
- 30,000 pcs$0.00650
- 50,000 pcs$0.00578
- 100,000 pcs$0.00542
- 250,000 pcs$0.00482
- برخه شمیره:
- BAS16,235
- جوړوونکی:
- Nexperia USA Inc.
- تفصیلي توضیحات:
- DIODE GEN PURP 100V 215MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching DIODE SW TAPE-11
- Manufacturer's standard lead time:
- په ګدام کښي
- د شیلف ژوند:
- یو کال
- له څخه چپ:
- هانګ کانګ
- RoHS:
- د تادیې میتود:
-
- بار وړلو لاره:
- د کورنۍ کټګورۍ:
- د کیی اجزاو شرکت ، LTD د بریښنایی اجزاو توزیع کونکی دی چې د محصول کټګورۍ وړاندیز کوي په شمول: ټرانزیټران - JFETs, ډایډز - تغیر لرونکی ظرفیت (ویریکاپس ، وایرکټرونه), ټرانزیټران - دوه قطبي (BJT) - RF, Thyristors - SCRs - ماډلونه, ډایډز - زینر - تیرونه, Thyristors - TRIACs, ډایډز - زینر - واحد and د بریښنایی چلونکي موډلونه ...
- د سیالۍ ګټه:
- We specialize in Nexperia USA Inc. BAS16,235 electronic components. BAS16,235 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS16,235, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS16,235 د محصول ځانګړتیاوې
برخه شمیره :
BAS16,235
جوړوونکی :
Nexperia USA Inc.
توضيح :
DIODE GEN PURP 100V 215MA SOT23
لړۍ :
Automotive, AEC-Q101, BAS16
برخه حالت :
Active
د ډایډ ډول :
Standard
ولټاژ - DC ریورس (Vr) (اعظمي) :
100V
اوسنی - اوسط ترمیم شوی (Io) :
215mA (DC)
ولټاژ - فارورډ (Vf) (اعظمي) @ که :
1.25V @ 150mA
سرعت :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
د بيرته راستنيدو وخت (trr) :
4ns
اوسنی - ریورس لیکونه @ Vr :
500nA @ 80V
ظرفیت @ Vr ، F :
1.5pF @ 0V, 1MHz
د غونډلو ډول :
Surface Mount
بسته / قضیه :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
TO-236AB
عملیاتي تودوخه - جنکشن :
150°C (Max)
تازه ترین خبرونه
تاسو ممکن پدې کې هم علاقه ولرئ
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
-
BAL99E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
ګرم برخې
- SS22SHE3_A/I
- 1N4001-N-2-3-AP
- 1N6910UTK2AS
- IRD3CH101DD6
- MBRH20020RL
- JANTXV1N3595AUR-1
- 1N5805
- UFR3020PF
- S3740
- CD214B-F2100
- 1N3910
- CDBM230-HF
- MBRB1650-E3/45
- US1AHE3/5AT
- S1PDHE3/85A
- S1AHE3/5AT
- CDBP0130R-G
- MPG06BHE3/54
- EGP30GHE3/54
- GPP60AHE3/73
- R9G21412CSOO
- V12P10HE3/86A
- 1N4936RL
- B240A-13
- RS1KB-13
- SD253N04S15PV
- VS-80SQ035
- S1M-26R2G
- SF13M-TP
- JANTX1N5711-1/TR
- 1N647UR-1
- DNA30E2200PC-TUB
- STPSC606D
- BYWB29-200-E3/81
- ES3A-E3/57T
- STTH2L06UFY
- EGL34GHE3_A/I
- RSX201VA-30TR
- RF05VA1STR
- BAS40-00-G3-08