برخه شمیره :
TPC8031-H(TE12LQM)
جوړوونکی :
Toshiba Semiconductor and Storage
توضيح :
MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B
ټیکنالوژي :
MOSFET (Metal Oxide)
د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss) :
30V
اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C :
11A (Ta)
د موټر چلولو ولتاژ (د ډیرو څخه په ډیرو لږو راډونو سره) :
-
Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs :
13.3 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (اعظمي) @ ID :
2.5V @ 1mA
د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs :
21nC @ 10V
د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds :
2150pF @ 10V
د بریښنا تحلیل (اعظمي) :
-
د تودوخې چلول :
150°C (TJ)
د غونډلو ډول :
Surface Mount
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
8-SOP (5.5x6.0)
بسته / قضیه :
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)