RGP10JE-E3/91 نرخ (ډالر) [2763د کمپیوټر سټاک]
- 12,500 pcs$0.06352
- برخه شمیره:
- RGP10JE-E3/91
- جوړوونکی:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- تفصیلي توضیحات:
- DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL.
- Manufacturer's standard lead time:
- په ګدام کښي
- د شیلف ژوند:
- یو کال
- له څخه چپ:
- هانګ کانګ
- RoHS:
- د تادیې میتود:
-
- بار وړلو لاره:
- د کورنۍ کټګورۍ:
- د کیی اجزاو شرکت ، LTD د بریښنایی اجزاو توزیع کونکی دی چې د محصول کټګورۍ وړاندیز کوي په شمول: Thyristors - TRIACs, ټرانزیټران - بایپولر (BJT) - تیرونه, ټرانزیټران - د برنامې وړ Unijunction, تیریسټران - SCRs, ډایډز - د پل تصفیه کونکي, ټرانزیټران - FETs ، MOSFETs - یو واحد, ټرانزیټران - بایپولر (BJT) - یوځای and ټرانزیټرې - IGBTs - ماډلونه ...
- د سیالۍ ګټه:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RGP10JE-E3/91 electronic components. RGP10JE-E3/91 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RGP10JE-E3/91, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RGP10JE-E3/91 د محصول ځانګړتیاوې
برخه شمیره :
RGP10JE-E3/91
جوړوونکی :
Vishay Semiconductor Diodes Division
توضيح :
DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
لړۍ :
Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
برخه حالت :
Obsolete
د ډایډ ډول :
Standard
ولټاژ - DC ریورس (Vr) (اعظمي) :
600V
اوسنی - اوسط ترمیم شوی (Io) :
1A
ولټاژ - فارورډ (Vf) (اعظمي) @ که :
1.3V @ 1A
سرعت :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
د بيرته راستنيدو وخت (trr) :
150ns
اوسنی - ریورس لیکونه @ Vr :
5µA @ 600V
ظرفیت @ Vr ، F :
15pF @ 4V, 1MHz
د غونډلو ډول :
Through Hole
بسته / قضیه :
DO-204AL, DO-41, Axial
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
DO-204AL (DO-41)
عملیاتي تودوخه - جنکشن :
-65°C ~ 175°C
تازه ترین خبرونه
تاسو ممکن پدې کې هم علاقه ولرئ
-
UD0506T-TL-HX
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF
-
-
SCS212AJTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers SiC, SBD 650V 12A DPAK
-
SCS210AJHRTLL
Rohm Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB. Schottky Diodes & Rectifiers 650V 10A SiC SBD AEC-Q101 Qualified
-
VS-8EWF02S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3
-
ګرم برخې
- BYV60W-600PQ
- 1N5821-A
- 1N4007-N-2-2-BP
- 1N6763
- 1N6843
- JANTX1N6843CCU3
- IDK03G65C5XTMA1
- MBRS3201PT3G
- GDP30P120B
- VS-6TQ035-N3
- VS-10ETF02STRLPBF
- V30120SHM3/4W
- RGP10KHM3/54
- S42160
- SB10-03A2-BT
- 1N3909A
- MBRB1050HE3/45
- S5GHE3/57T
- STTH5BCF060
- SRP300K-E3/54
- 70UR60G BK R
- GP15BHE3/73
- MDO1200-22N1
- IDD10SG60CXTMA1
- 1N4001GP
- BAS21_ND87Z
- VS-30BQ040TRPBF
- VS-10TQ045SPBF
- RS1D/1
- 8ETX06STRL
- MA27D2700L
- 181NQ045
- VS-90SQ045
- MBR1045/45
- HER203-AP
- CDLL0.5A30
- STPSC12065D
- RB068M-60TR
- HS3A M6G
- 1N4002GP-E3/73