برخه شمیره :
IPU80R1K4CEAKMA1
جوړوونکی :
Infineon Technologies
توضيح :
MOSFET N-CH 800V TO251-3
ټیکنالوژي :
MOSFET (Metal Oxide)
د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss) :
800V
اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C :
3.9A (Tc)
د موټر چلولو ولتاژ (د ډیرو څخه په ډیرو لږو راډونو سره) :
10V
Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs :
1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (اعظمي) @ ID :
3.9V @ 240µA
د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs :
23nC @ 10V
د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds :
570pF @ 100V
د بریښنا تحلیل (اعظمي) :
63W (Tc)
د تودوخې چلول :
-55°C ~ 150°C (TJ)
د غونډلو ډول :
Through Hole
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
PG-TO251-3
بسته / قضیه :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA