برخه شمیره :
IPB120N04S4L02ATMA1
جوړوونکی :
Infineon Technologies
توضيح :
MOSFET N-CH TO263-3
لړۍ :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
ټیکنالوژي :
MOSFET (Metal Oxide)
د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss) :
40V
اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C :
120A (Tc)
د موټر چلولو ولتاژ (د ډیرو څخه په ډیرو لږو راډونو سره) :
4.5V, 10V
Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs :
1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (اعظمي) @ ID :
2.2V @ 110µA
د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs :
190nC @ 10V
د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds :
14560pF @ 25V
د بریښنا تحلیل (اعظمي) :
158W (Tc)
د تودوخې چلول :
-55°C ~ 175°C (TJ)
د غونډلو ډول :
Surface Mount
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
D²PAK (TO-263AB)
بسته / قضیه :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB