برخه شمیره :
SSM3J108TU(TE85L)
جوړوونکی :
Toshiba Semiconductor and Storage
توضيح :
MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
ټیکنالوژي :
MOSFET (Metal Oxide)
د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss) :
20V
اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C :
1.8A (Ta)
د موټر چلولو ولتاژ (د ډیرو څخه په ډیرو لږو راډونو سره) :
1.8V, 4V
Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs :
158 mOhm @ 800mA, 4V
Vgs (th) (اعظمي) @ ID :
1V @ 1mA
د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs :
-
د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds :
250pF @ 10V
د بریښنا تحلیل (اعظمي) :
500mW (Ta)
د تودوخې چلول :
150°C (TJ)
د غونډلو ډول :
Surface Mount
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه :
UFM
بسته / قضیه :
3-SMD, Flat Leads