ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS43DR86400C-3DBL

KEY Part #: K939432

IS43DR86400C-3DBL نرخ (ډالر) [25136د کمپیوټر سټاک]

  • 1 pcs$2.18108
  • 242 pcs$2.17023

برخه شمیره:
IS43DR86400C-3DBL
جوړوونکی:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
تفصیلي توضیحات:
IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA. DRAM 512M, 1.8V, 333Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM
Manufacturer's standard lead time:
په ګدام کښي
د شیلف ژوند:
یو کال
له څخه چپ:
هانګ کانګ
RoHS:
د تادیې میتود:
بار وړلو لاره:
د کورنۍ کټګورۍ:
د کیی اجزاو شرکت ، LTD د بریښنایی اجزاو توزیع کونکی دی چې د محصول کټګورۍ وړاندیز کوي په شمول: منطق - د یونیورسل بس فعالیتونه, انٹرفیس - سینسر ، کاپیسا ټچ, PMIC - د ولټاژ تنظیم کونکي - DC DC سوئچ تنظیم کونک, PMIC - د AC DC بدلونکي ، آفلاین سویچرې, د معلوماتو لاسته راوړل - ADCs / DACs - ځانګړي هدف, انٹرفیس - کوډیکس, انٹرفیس - فلټرونه - فعال and PMIC - د بیټرۍ چارجرونه ...
د سیالۍ ګټه:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-3DBL electronic components. IS43DR86400C-3DBL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS43DR86400C-3DBL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS43DR86400C-3DBL د محصول ځانګړتیاوې

برخه شمیره : IS43DR86400C-3DBL
جوړوونکی : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
توضيح : IC DRAM 512M PARALLEL 60TWBGA
لړۍ : -
برخه حالت : Active
د یاد ډول : Volatile
د حافظې ب .ه : DRAM
ټیکنالوژي : SDRAM - DDR2
د حافظې اندازه : 512Mb (64M x 8)
د ساعت فریکونسۍ : 333MHz
د سایکل وخت - کلمه ، پا Writeه ولیکئ : 15ns
د رسي وخت : 450ps
د یادونې برسیر : Parallel
ولټاژ - عرضه کول : 1.7V ~ 1.9V
د تودوخې چلول : 0°C ~ 70°C (TA)
د غونډلو ډول : Surface Mount
بسته / قضیه : 60-TFBGA
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه : 60-TWBGA (8x10.5)

تازه ترین خبرونه

تاسو ممکن پدې کې هم علاقه ولرئ
  • CAV25M01YE-GT3

    ON Semiconductor

    IC EEPROM 1M SPI 10MHZ 8TSSOP. EEPROM 1 Mb SPI Serial CMOS EEPROM

  • CY7C199D-25SXE

    Cypress Semiconductor Corp

    IC SRAM 256K PARALLEL 28SOIC. SRAM 256Kb 25ns 32K x 8 SRAM

  • AS8C401801-QC166N

    Alliance Memory, Inc.

    IC SRAM 4M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4M, 3.3V, 166MHz 256K x 18 Synch SRAM

  • W94AD2KBJX5E

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 90VFBGA. DRAM 1G mDDR, x32, 200MHz

  • W9864G2JB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 64M, SDR SDRAM, x32, 166MHz, Ind temp

  • W966D6HBGX7I

    Winbond Electronics

    IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA. DRAM 64M pSRAM x16, ADP, 133MHz, Ind temp